第九十四章:建模(1 / 2)

找出了一个小问题,不代表这次二硒化钨的数据分析就完成了。</p>

这次徐川过来帮忙的目的是为了分析寻找在二硒化钨平铺的过程中到底是哪里阻碍了它完整的结晶的数据,而不是一开始就损耗了材料的问题。</p>

当然,后者同样很重要,毕竟一个小小的峰段就直接影响了十来个百分点的成品率。</p>

所以接下来的时间,他的导师和师兄们有的忙了。</p>

如果想要在溶剂热法这条合成道路上走下去,那么这个小峰段到底是因为什么原因造成的必须找到。</p>

至于徐川,在了解了这些实验数据对应的意义后,带着一些实验数据和资料回到了自己的宿舍。</p>

他还是比较习惯在宿舍中或者图书馆中解决问题,前者安静无人打扰便于思考,后者则泛游于知识的海洋中,遇到什么问题可以第一时间去书架上找资料。</p>

......</p>

宿舍中,徐川将带回来的资料平铺在书桌上,仔细的翻阅起来。</p>

虽说他已经知道了二硒化钨平铺失败的原因,但要将其用数学语言描述出来还是要花费点时间的。</p>

“从实验数据来看,还原剂干扰二硒化钨材料的问题只出现正在溶剂热法上,其他的合成法并未出现类似的问题。”</p>

“也就是说,问题要么出现在还原剂氢气上,那么则出现在热溶剂上。”</p>

“不过这点暂时放下,这需要实验进行论证,而接下来,就是在平铺后期二硒化钨纳米片因范德华力而出现坍缩或卷叠的问题。”</p>

“这个问题才是最核心的,但是要想解决,并不是那么容易......”</p>

“在先排除掉的还原剂和基底影响的情况下,从实验数据来看,不同浓度的二硒化钨原料在平铺过程中也有影响.....”</p>

匍匐在书桌前,徐川一边盯着带回来的数据一边在稿纸上写写画画。</p>

“设浓度为R,时间为T,温度为C,压强为P,电流密度为A、还原剂浓度为H......二硒化钨纳米片的坍缩现象在固定TCPR内随着H的提升而总体上.....不变?”</p>

“嗯?这什么鬼情况?”</p>

将手中的数据计算了一遍后,徐川有些愕然的看着稿纸上的数据。</p>

他都有些怀疑是不是自己算错了。</p>

这怎么可能,坍缩卷叠问题不受还原剂浓度影响?</p>

摇了摇头,徐川从另一份实验数据上取来数据,再度重新计算了一遍,但结果却依旧差不太多。</p>

又计算了两次,得出的结果依旧如此,虽然每一次的结果都有细微的不同,但整体而言,从数据来看,坍缩卷叠的确是不受H浓度的影响。</p>

这情况,让他皱起了眉头,他研究材料也这么多年了,这么诡异的情况还是第一次遇到。</p>

“这可真有意思。”</p>

徐川放下了手中的笔,身子往后一靠,倒在了椅背上,盯着有些灰白天花板沉思了起来。</p>try{ggauto();} catch(ex){}

对于一项材料的研发制备来说,温度、压强、原料浓度、时间、还原剂浓度等各种细节稍有些变化都会引起的成品的变化。</p>